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Consumi ridotti

Consumi ridotti per le prime cpu Intel a 32 nanometri

Entro la fine del 2009 Intel presenterà la prima serie di processori costruiti con tecnologia produttiva a 32 nanometri, destinati a sistemi desktop e dotati di un numero di core variabile a seconda del tipo di segmento di mercato al quale si rivolgeranno. Con il nome in codice di Clarkdale vengono indicate le cpu Intel a 32 nanometri specificamente rivolte al segmento desktop di fascia media; Gulftown indica le soluzioni a 6 core che prenderanno il posto delle soluzioni Core i7 attualmente disponibili in commercio mentre le soluzioni Arrandale saranno specificamente rivolte all'utilizzo in sistemi notebook.

Le cpu Clarkdale e Arrandale integreranno al proprio interno anche un sottosistema video: queste cpu saranno costruite utilizzando un approccio di tipo MCP, MultiChip Module, con il quale quindi GPU e CPU saranno montate sullo stesso package ma su die differenti. Si tratta dello stesso tipo di tecnologia adottata da Intel per le proprie cpu della serie Core 2 Quad, nelle quali due die dual core sono affiancati sullo stesso package collegandoli attraverso il front side bus.

L'architettura di processore scelta per le soluzioni Clarkdale prevede tecnologia produttiva a 32 nanometri, con microarchitettura della famiglia Nehalem e integrazione della tecnologia Turbo Boost. Saranno integrati due core fisici, che diventeranno 4 logici grazie alla presenza della tecnologia HyperThreading. La cache integrata sarà in quantitativo di 4 Mbytes, mentre il memory controller integrato sarà compatibile con memorie DDR3 sino alla frequenza d 1.333 MHz.

Il sottosistema video verrà costruito con tecnologia produttiva a 45 nanometri, ma al momento attuale non se ne conoscono in dettaglio le specifiche tecniche. Il processore Clackdale potrà gestire sia GPU integrata che una soluzione su scheda PCI Express; il controller integrato permetterà di sfruttare un canale PCI Express 16x oppure due canali PCI Express 8x. Il Socket di connessione scelto da Intel sarà quello LGA 1156, compatibile con le altre versioni di processore Nehalem delle famiglie Lynnfield e Ibex Peak, mentre a livello chipset la compatibilità sarà assicurata con le soluzioni Intel della serie 5.

processo produttivo a 45 nanometri

Intel mantiene fede allo slogan collegato al nuovo marchio (Leap Ahead, un balzo oltre), presentando il primo chip dotato di processo produttivo a 45 nanometri, contro i 65 nanometri dei processori più evoluti attualmente prodotti. Per chi ha poca dimestichezza con l'argomento possiamo sintetizzare affermando che un processo produttivo caratterizzato da un valore numerico dell'unità di misura più basso indica drastici miglioramenti sotto diversi punti di vista.
Il valore 45 nanometri indica la distanza fra i gate del transistor; ciò permette di stipare più transistor a parità di superficie rispetto ad un processo produttivo "più ingombrante", oltre a garantire un consumo inferiore ed una ottimizzazione dei costi di produzione una volta raggiunta la produzione in grandi volumi.

Il chip realizzato con questa nuova tecnologia è di fatto un chip memoria SRAM (Static Random Access Memory), di quelli utilizzati per intenderci per le memorie cache dei processori. La capacità raggiunta su una superificie di soli 119 mm2 (un quadrato di poco meno di 11 mm di lato) è di ben 152Mbit, ovvero oltre 19 MB, mentre il numero di transistor complessivi supera il miliardo.

Ogni cella di memoria di questo nuovo chip misura più o meno la metà di una cella di memoria di un chip equivalente ma realizzata con processo a 65 nanometri. Il lavoro iniziale si è focalizzato sulla realizzazione delle celle di memoria a 45 nanometri, ognuna di esse composta da 6 transistor e caratterizzata da un'area di 0.346 µm2.

E' ovviamente nelle intenzioni di Intel sfruttare il processo produttivo a 45nm per la produzione di massa, che avverrà verosimilmente nella seconda metà del 2007. Il prossimo passo? Nel mirino si intravedono i 32nm, con ogni probabilità stravolgendo l'attuale tecnologia applicata in questo campo con l'introduzione di transistor 3D non planari, allo studio da tempo e attesi per il 2009.